УДК 621.382.3.083.8:006.354 Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

Метод намерения обратного тока коллектора

Method for measuring collector reverse current

(СТ СЭВ 3998-83)

ГОСТ 10864-68

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. № 1478 срок введения установлен с 01.01.76

Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 № 184 срок действия продлен ДО 01.01.94

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора I к бо (ток через переход коллектор - база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3998-83 в части измерения обратного тока коллектора (справочное приложение).

Общие условия при измерении обратного тока коллектора должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83.

1. АППАРАТУРА

1.1. Измерительные установки, в которых используются стрелочные приборы, должны обеспечивать измерения с основной погрешностью в пределах ±10% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, и в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение менее 0,1 мкА.

Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5 % от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

Издание официальное Перепечатка воспрещена

* Переиздание (декабрь 1985 г.) с Изменениями № 1, 2, утвержденными в августе 1977 г., апреле 1984 г.

ГНУС 9-77, 8-84).

Для импульсного метода измерения I%бо при использовании стрелочных приборов основная погрешность измерения должна быть в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, при использовании цифровых приборов-в пределах ±10% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

1.2. Допускаются токи утечки в цепи эмиттера, не приводящие к превышению основной погрешности измерения сверх значения, указанного в п. 1.1.

2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

2.1. Структурная электрическая схема для измерения обратного тока коллектора должна соответствовать указанной на чертеже.

испытуемый транзистор

(Измененная редакция, Изм. № 2).

2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответствовать требованиям, указанным ниже.

2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока ИП1 не должно превышать 5 % от показаний измерителя постоянного напряжения ИП2.

Если падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока ИП1 превышает 5 %, то необходимо увеличить напряжение источника питанияч U с на значение, равное падению напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока ИП1.

2.2.2. Пульсация напряжения источника постоянного тока коллектора не должна превышать 2%.

Значение напряжения U K указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов и контролируют измерителем постоянного напряжения ИП2.

2.3. Допускается проводить измерение 1кбо мощных высоковольтных транзисторов импульсным методом.

Измерение проводят но схеме, указанной в стандарте, при этом источник постоянного тока заменяют генератором импульсов.

2.3.1. Длительность импульса т и должна выбираться из соотношения

где x=R г -С/с - ,

Rr - включенное последовательно с переходом транзистора суммарное сопротивление резистора и внутреннее сопротивление генератора импульсов;

С к -емкость коллекторного перехода испытуемого транзистора, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).

2.3.2. Скважность импульсов должна быть не менее 10. Длительность фронта импульса генератора Тф должна быть

т ф <0,1т и.

2.3.3. Значения напряжения и тока измеряют измерителями амплитудных значений.

2.3.4. Параметры импульсов должны быть указаны в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типоз.

2.3.5. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±10) °С.

(Введен дополнительно, Изм. № 2).

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

3.1. Обратный ток коллектора измеряют следующим образом. От источника постоянного тока на коллектор подают обратное напряжение U^ и с помощью измерителя постоянного тока ИП1 измеряют обратный ток коллектора 1цбо.

Допускается измерять обратный ток коллектора по значению падения напряжения на калиброванном резисторе, включенном в цепь измеряемого тока. При этом должно соблюдаться соотношение R K / кбо ^0,05 U K . Если падение» напряжения на резисторе R K превышает 0,05 U к, то необходимо увеличить напряжение U K на значение, (равное падению напряжения на резисторе

(Измененная редакция, Изм. № 1).

3.2. Порядок проведения измерения 1сво импульсным методом аналогичен указанному в п. 3.1.

3.3. При измерении I кбо импульсным методом должно быть исключено влияние выброса напряжения, поэтому измеряют импульсный ток через интервал времени не менее Зтф с момента

Научно-популярное издание

В ПОМОЩЬ РАДИОЛЮБИТЕЛЮ

Резисторы - МЛТ-0,5 (Rl, R3), МЛТ-1 (R5), МЛТ-2 (R2, R6, R7) и проволочный (R4), изготовленный из провода с высоким удельным сопротивлением. Лампа HL1 - МНЗ,5-0,28. Стрелочный индикатор - типа М24 с током полного отклонения стрелки 5 мА. Диоды могут быть другие, рассчитанные на выпрямленный ток до 0,7 A (VD6 - VD9) и 100 мА (остальные).

Рис. 8. Внешний вид испытателя мощных транзисторов

Рис. 9. Шкала отсчета индикатора

Прибор смонтирован в корпусе размерами 280Х 170X130 мм (рис. 8). Детали распаяны на выводах пе-реключателей и на монтажной плате, укрепленной на зажимах стрелочного индикатора. Как и в предыдущем случае, к прибору изготовлен (рис. 9), дубли-рующий шкалу отсчета.

Налаживание прибора сводится к установке указан-ных токов эмиттера подбором резисторов R4 и R5. Кон-троль тока ведут по падению напряжения на резисторах R6, R7. Резистор R1 подбирают таким, чтобы со-противлений его и индикатора РА1 была в 9 раз -ше сопротивления резистора R2.

Научно-популярное издание

В ПОМОЩЬ РАДИОЛЮБИТЕЛЮ

Выпуск 100

Издательство ДОСААФ СССР, 1988

Дорогие читателя!

Более трех десятилетий назад на прилавках магази-нов появился первый выпуск сборника «В помощь ра-диолюбителю». от года росла его популярность: тираж вырос почти в 10 раз, а публикуемые материалы отражали рост профессионального мастерства радио-любителей, связанный с развитием радиотехники в це- .

Все новое, интересное, как правило, сразу появля- на страницах сборника. На смену ламповым прихо-дили транзисторные конструкции, вслед за ними - устройства на интегральных микросхемах.

7. На рис. 4 для р- n -р -транзистора показаны дырочные потоки инжекции , рекомбинации
и экстрации
. На энергетической зонной диаграмме все они «протекают» в валентной зоне транзистора. Эти потоки создают дырочный ток эмиттераи коллектора, поскольку в базу из внешней цепи устремляется поток электронов
(ток течет из базы), компенсирующих убыль свободных электронов базы, исчезнувших в процессе рекомбинации с дырками
, так что
.

Эмиттерный ток по существу является прямым током полупроводникового диода с несимметричным р- n -переходом (см. п.6 работы № 44) и определяется формулой

Где - тепловой дырочный ток эмиттера, определяемый потоком
через ЭП:
- элементарный заряд; - прямое напряжение смещения ЭП (доли 1В);
- коэффициент диффузии дырок в базе;- площадьр- n -перехода.

Динамическое (дифференциальное) сопротивление эмиттерного перехода обратно пропорционально эмиттерному току

и при
и
равно
.

Коллекторный ток содержит две составляющие. Одна из них является обычным током полупроводникового диода с несимметричным р- n -переходом при обратном включении напряжения (см. п.7 работы № 44) и определяется формулой

где
- тепловой дырочный ток коллектора, определяемый потоком
через КП;
и
. Характерное значение теплового тока приТ = 300К 2-5мкА для германиевых и 0,01 – 0,1мкА – для кремниевых транзисторов. При повышении температуры на каждые 10 о С тепловой ток практически удваивается. Поскольку его зависимость от температуры (термогенерация дырок ) очень сильная, то этот ток оказывает дестабилизирующее действие на работу транзистора. В формуле (4) токнаправлен в сторону базы, ток
направлен из базы в коллектор. Вторая составляющая тока транзистора является током экстракции
, определяемым из условия (1):
, так что

В формуле (6) основной составляющей является ток
, поскольку
.

Динамическое сопротивление коллекторного перехода равно

Где
- коэффициент, зависящий от концентрации донорных атомов в базе, от ширины базы и от диффузионной длины
. При
и
получим
.

Схемы включения транзисторов

8. К внешним источникам напряжения транзистор может подключаться в соответствии с одной из трех схем: с «общей базой» (рис.6), с «общим эмиттером» (рис.7) и с «общим коллектором» (рис.8). Ч
асто при этом «общий» (для источников напряжения) вывод транзистора соединяется с корпусом приборов (заземляется). На рис. 6-8 показаны значения прямого напряжения смещенияна ЭП и обратного напряжения смещения
на КП, выраженные через напряжения источников питания. Мы рассмотрим два наиболее часто

встречающихся на практике варианта схемы.

А
.Схема с общей базой

Входным здесь является ток эмиттера , входным напряжением – напряжение
. Так как на ЭП
, то из выражения (2) уравнение «входных статических характеристик» транзистора соответствует обычным вольт-амперным характеристикам диода при прямом его включении. Семейство входных

характеристик, определяемых зависимостью

показано на рис. 9. Оно очень слабо зависит от напряжения
, но существенно смещается влево с увеличением температуры вследствие возрастания
.

Входное динамическое сопротивление транзистора определяется по входным характеристикам как

Оно приблизительно равно сопротивлению .

В схеме с общей базой

выходными являются ток и напряжение
, причем на КП
.

Уравнением «выходных статических характеристик» является выражение (6), которое показывает, что токне зависит от напряжения
и определяется лишь токамии
. Такие «эквидистантные по приращению тока» характеристики должны быть параллельны оси напряжения
.

Реальные выходные характеристики

отличаются от теоретических, прежде всего, при положительном на коллекторе значении
, когда коллектор перестает быть потенциальной ямой для дырок базы и нарушается режим экстракции.

При отрицательной полярности (на коллекторе) напряжения
, вследствие отмеченной в п. 2 «модуляции» ширина базы, происходит некоторое увеличение коэффициента
и возрастание токас увеличением напряжения
. Коллекторные вольт-амперные характеристики получают слабый наклон. Семейство выходных статических характеристик транзистора в схеме с общей базой показано на рис.10. С повышением температуры растет ток
, и все семейство характеристик сдвигается вверх.

С помощью этих характеристик можно найти динамическое выходное сопротивление транзистора

несколько отличающийся от
.

П
оскольку
, в схеме с общей базой нельзя получить усиления тока, т.е.
. Транзистор здесь работает как усилитель напряжения или как усилитель мощности. Если напряжение
на ЭП содержит переменную составляющую
, то переменную

составляющую будет иметь и ток эмиттера: из выражения (9) следует . Поэтому в соответствии с (12) переменная составляющая тока коллектора. Для получения переменного напряжения
на выходе транзистора в его коллекторную цепь включают нагрузочное сопротивление, через которое протекает ток
, так что

.

Коэффициент усиления по напряжению

Нагрузочное сопротивление выбирает из условия
. Поэтому, где
, и
, так как
. Следовательно, коэффициент усиления по напряжению в схеме транзистора с общей базой пропорционален отношению сопротивлений КП и ЭП.

Необходимые пояснения даны, переходим к сути.

Транзисторы. Определение и история

Транзистор - электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. (tranzistors.ru)

Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких.

Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала.

В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» - дважды). А в полевом (он же униполярный) - или электроны, или дырки.

Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые - в цифровой.

И, напоследок: основная область применения любых транзисторов - усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Биполярный транзистор. Принцип работы. Основные характеристики

Прежде, чем рассматривать физику работы транзистора, обрисуем общую задачу.


Она заключаются в следующем: между эмиттером и коллектором течет сильный ток (ток коллектора ), а между эмиттером и базой - слабый управляющий ток (ток базы ). Ток коллектора будет меняться в зависимости от изменения тока базы. Почему?
Рассмотрим p-n переходы транзистора. Их два: эмиттер-база (ЭБ) и база-коллектор (БК). В активном режиме работы транзистора первый из них подключается с прямым, а второй - с обратным смещениями. Что же при этом происходит на p-n переходах? Для большей определенности будем рассматривать n-p-n транзистор. Для p-n-p все аналогично, только слово «электроны» нужно заменить на «дырки».

Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но бо льшая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны - неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера. А теперь следите за руками. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу . Еще раз: сильное изменение тока коллектора является пропорциональным отражением слабого изменения тока базы.

Помню, моей одногрупнице принцип работы биполярного транзистора объясняли на примере водопроводного крана. Вода в нем - ток коллектора, а управляющий ток базы - то, насколько мы поворачиваем ручку. Достаточно небольшого усилия (управляющего воздействия), чтобы поток воды из крана увеличился.

Помимо рассмотренных процессов, на p-n переходах транзистора может происходить еще ряд явлений. Например, при сильном увеличении напряжения на переходе база-коллектор может начаться лавинное размножение заряда из-за ударной ионизации. А вкупе с туннельным эффектом это даст сначала электрический, а затем (с возрастанием тока) и тепловой пробой. Однако, тепловой пробой в транзисторе может наступить и без электрического (т.е. без повышения коллекторного напряжения до пробивного). Для этого будет достаточно одного чрезмерного тока через коллектор.

Еще одно явления связано с тем, что при изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах меняется их толщина. И если база черезчур тонкая, то может возникнуть эффект смыкания (так называемый «прокол» базы) - соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает, и транзистор перестает нормально работать.

Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h21 . Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току . Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается.

Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора . Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления.

Третий параметр биполярного транзистора - коэффициент усиления по напряжению . Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер-коллектор) и входного (база-эмиттер) переменных напряжений. Поскольку первая величина обычно очень большая (единицы и десятки вольт), а вторая - очень маленькая (десятые доли вольт), то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц. Стоит отметить, что каждый управляющий сигнал базы имеет свой коэффициент усиления по напряжению.

Также транзисторы имеют частотную характеристику , которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте усиления. Дело в том, что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления снижается. Это происходит из-за того, что время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать. Частота, на которой это происходит, и называется граничной .

Также параметрами биполярного транзистора являются:

• обратный ток коллектор-эмиттер
• время включения
• обратный ток колектора
• максимально допустимый ток

Условные обозначения n-p-n и p-n-p транзисторов отличаются только направлением стрелочки, обозначающей эмиттер. Она показывает то, как течет ток в данном транзисторе.

Режимы работы биполярного транзистора

1. Инверсный активный режим . Здесь открыт переход БК, а ЭБ наоборот закрыт. Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко.
2. Режим насыщения . Оба перехода открыты. Соответственно, основные носители заряда коллектора и эмиттера «бегут» в базу, где активно рекомбинируют с ее основными носителями. Из-за возникающей избыточности носителей заряда сопротивление базы и p-n переходов уменьшается. Поэтому цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент представлять в виде эквипотенциальной точки.
3. Режим отсечки . Оба перехода транзистора закрыты, т.е. ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается. Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. Поэтому часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи.
4. Барьерный режим В этом режиме база напрямую или через малое сопротивление замкнута с коллектором. Также в коллекторную или эмиттерную цепь включают резистор, который задает ток через транзистор. Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным сопротивлением. Этот режим очень полезный, так как позволяет схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к параметрам транзисторов.

Схемы включения биполярных транзисторов

Поскольку контактов у транзистора три, то в общем случае питание на него нужно подавать от двух источников, у которых вместе получается четыре вывода. Поэтому на один из контактов транзистора приходится подавать напряжение одинакового знака от обоих источников. И в зависимости от того, что это за контакт, различают три схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). У каждой из них есть как достоинства, так и недостатки. Выбор между ними делается в зависимости от того, какие параметры для нас важны, а какими можно поступиться.

Схема включения с общим эмиттером

Но ко всем плюшкам схема с ОЭ имеет и существенный недостаток. Он заключается в том, что рост частоты и температуры приводит к значительному ухудшению усилительных свойств транзистора. Таким образом, если транзистор должен работать на высоких частотах, то лучше использовать другую схему включения. Например, с общей базой.

Схема включения с общей базой

В схеме с общей базой не происходит инвертирование фазы сигнала, а уровень шумов на высоких частотах снижается. Но, как уже было сказано, коэффициент усиления по току у нее всегда немного меньше единицы. Правда, коэффициент усиления по напряжению здесь такой же, как и в схеме с общим эмиттером. К недостаткам схемы с общей базой можно также отнести необходимость использования двух источников питания.

Схема включения с общим коллектором

Напомню, что отрицательной называют такую обратную связь, при которой выходной сигнал подается обратно на вход, чем снижает уровень входного сигнала. Таким образом происходит автоматическая корректировка при случайном изменении параметров входного сигнала

Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький (основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности получается равным всего нескольким десяткам единиц.

В схеме с общим коллектором фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным - потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.

Такое включение используют для согласования транзисторных каскадов или когда источник входного сигнала имеет высокое входное сопротивление (например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон).

Два слова о каскадах

Может также возникнуть необходимость в транзисторе с хорошей чувствительностью и при этом с хорошим коэффициентом усиления. В таких случаях используют каскад из чувствительного, но маломощного транзистора (на рисунке - VT1), который управляет энергией питания более мощного собрата (на рисунке - VT2).

Другие области применения биполярных транзисторов

Маркировка

Полезные комментарии:
http://habrahabr.ru/blogs/easyelectronics/133136/#comment_4419173

Теги: Добавить метки

ГОСТ 18604.4-74*
(CT СЭВ 3998-83)

Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

Метод измерения обратного тока коллектора

Transistors. Method for measuring collector reverse current

Дата введения 1976-01-01

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. N 1478 срок введения установлен с 01.01.76

Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 N 184 срок действия продлен до 01.01.91**

** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1454 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.

ВЗАМЕН ГОСТ 10864-68

* ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменениями N 1, 2, утвержденными в августе 1977 г., апреле 1984 г. (ИУС 9-77, 8-84).


Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор - база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3998-83 в части измерения обратного тока коллектора (справочное приложение).

Общие условия при измерении обратного тока коллектора должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83 .

1. АППАРАТУРА

1. АППАРАТУРА

1.1. Измерительные установки, в которых используются стрелочные приборы, должны обеспечивать измерения с основной погрешностью в пределах ±10% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, и в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение менее 0,1 мкА.

Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

Для импульсного метода измерения при использовании стрелочных приборов основная погрешность измерения должна быть в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, при использовании цифровых приборов - в пределах ±10% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

1.2. Допускаются токи утечки в цепи эмиттера, не приводящие к превышению основной погрешности измерения сверх значения, указанного в п.1.1.

2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

2.1. Структурная электрическая схема для измерения обратного тока коллектора должна соответствовать указанной на чертеже.

Измеритель постоянного тока, - измеритель постоянного напряжения,
- напряжение источника питания коллектора, - испытуемый транзистор

(Измененная редакция, Изм. N 2).

2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответствовать требованиям, указанным ниже.

2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока не должно превышать 5% от показаний измерителя постоянного напряжения .

Если падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение источника питания на значение, равное падению напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока .

2.2.2. Пульсация напряжения источника постоянного тока коллектора не должна превышать 2%.

Значение напряжения указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов и контролируют измерителем постоянного напряжения .

2.3. Допускается проводить измерение мощных высоковольтных транзисторов импульсным методом.

Измерение проводят по схеме, указанной в стандарте, при этом источник постоянного тока заменяют генератором импульсов.

2.3.1. Длительность импульса должна выбираться из соотношения

Включенное последовательно с переходом транзистора суммарное сопротивление резистора и внутреннее сопротивление генератора импульсов;

- емкость коллекторного перехода испытуемого транзистора, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

2.3.2. Скважность импульсов должна быть не менее 10. Длительность фронта импульса генератора должна быть

2.3.3. Значения напряжения и тока измеряют измерителями амплитудных значений.

2.3.4. Параметры импульсов должны быть указаны в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.3.5. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±10) °С.

(Введен дополнительно, Изм. N 2).

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

3.1. Обратный ток коллектора измеряют следующим образом. От источника постоянного тока на коллектор подают обратное напряжение и с помощью измерителя постоянного тока измеряют обратный ток коллектора .

Допускается измерять обратный ток коллектора по значению падения напряжения на калиброванном резисторе , включенном в цепь измеряемого тока. При этом должно соблюдаться соотношение . Если падение напряжения на резисторе превышает , то необходимо увеличить напряжение на значение, равное падению напряжения на резисторе .

(Измененная редакция, Изм. N 1).

3.2. Порядок проведения измерения импульсным методом аналогичен указанному в п.3.1.

3.3. При измерении импульсным методом должно быть исключено влияние выброса напряжения, поэтому измеряют импульсный ток через интервал времени не менее 3 с момента начала импульса.

ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). Информационные данные о соответствии ГОСТ 18604.4-77 СТ СЭВ 3998-83

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

ГОСТ 18604.4-74 соответствует разд.1 СТ СЭВ 3998-83.

(Введено дополнительно, Изм. N 2).

Электронный текст документа
подготовлен АО "Кодекс" и сверен по:
официальное издание
Транзисторы биполярные.
Методы измерений: Сб. ГОСТов. -
М.: Издательство стандартов, 1986